長江商報消息 本報訊(記者 熊子熙)昨日,武漢新芯集成電路制造有限公司宣布與美國Spansion公司展開3D NAND聯(lián)合技術(shù)開發(fā)合作,并在武漢新芯公司舉辦了合作簽約儀式。
3D NAND是業(yè)界公認(rèn)的下一代大容量半導(dǎo)體閃存技術(shù)。該創(chuàng)新技術(shù)可充分利用現(xiàn)有成熟生產(chǎn)設(shè)備,通過在硅片表面垂直疊加幾十個或更多的電荷存儲層來提高單顆芯片的存儲密度。
目前,雙方在知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)研發(fā)等方面已經(jīng)完成布局,預(yù)計投產(chǎn)后,武漢新芯將具備月產(chǎn)20萬片的生產(chǎn)能力,可以很好地滿足國內(nèi)在大容量閃存存儲器方面的需求。
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