東微半導上市首年凈利勁增94%   人均創(chuàng)利259萬研發(fā)人員占比49%

長江商報消息 ●長江商報記者汪靜

一家員工僅有一百多人的公司，卻成為了國內(nèi)高性能功率半導體領域的代表，這家公司就是東微半導（688261.SH）。

4月19日晚，東微半導披露年報，2022年公司實現(xiàn)營收11.16億元，同比增長42.74%；歸母凈利潤2.84億元、扣非凈利潤2.68億元，同比增長93.57%、90.59%。

長江商報記者注意到，東微半導期末總員工為110人，以此計算，公司2022年人均創(chuàng)收約1015萬元、人均創(chuàng)利約259萬元。

東微半導實控人及聯(lián)合創(chuàng)始人為龔軼及王鵬飛，二者在半導體行業(yè)內(nèi)有豐富的從業(yè)經(jīng)歷。創(chuàng)始人技術出身，東微半導重視研發(fā)。2022年，公司研發(fā)費用為5492.73萬元，同比增長32.57%，期末研發(fā)部共54名研發(fā)人員，占比49.09%。

營收凈利創(chuàng)新高

4月19日晚，東微半導披露2022年年報，報告期，公司實現(xiàn)營收11.16億元，同比增長42.74%；歸母凈利潤2.84億元，同比增長93.57%；扣非凈利潤2.68億元，同比增長90.59%。業(yè)績創(chuàng)下歷史新高。

東微半導表示，2022年，公司聚焦于光伏逆變及儲能、新能源汽車車載充電機、新能源汽車直流充電樁、服務器電源等高景氣賽道，營業(yè)收入持續(xù)增加，充分受益于功率半導體結(jié)構(gòu)性需求分化紅利；并通過不斷深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作關系，持續(xù)擴大產(chǎn)能。

分產(chǎn)品來看，2022年，東微半導高壓超級結(jié)MOS實現(xiàn)營收9.14億元，同比增長60.77%；中低壓屏蔽柵MOS實現(xiàn)營收1.56億元，同比降低24.27%；Tri-gate IGBT產(chǎn)品實現(xiàn)營收4461.27萬元，同比增加685.21%。

東微半導還表示，2022年，公司SiC器件(含Si2C MOSFET)首次實現(xiàn)營業(yè)收入。2023年，東微半導主營產(chǎn)品將持續(xù)批量出貨并新增多個產(chǎn)品送測認證，這將對公司主營產(chǎn)品銷售增長提供持續(xù)推動力。

值得一提的是，截至報告期末，東微半導總員工為110人，以此計算，公司2022年人均創(chuàng)收約1015萬元、人均創(chuàng)利約259萬元。

業(yè)績大幅提升，東微半導大方分紅。

根據(jù)2022年分紅預案，公司擬向全體股東每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利14.76元（含稅），每10股轉(zhuǎn)增4股，合計派現(xiàn)9944.75萬元，分紅率34.97%。截至2022年12月31日，公司總股本6737.64萬股，以此計算合計轉(zhuǎn)增2695.05萬股，轉(zhuǎn)增后公司總股本增加至9432.69萬股。

研發(fā)費用增長32.57%

公開資料顯示，東微半導實控人及聯(lián)合創(chuàng)始人為龔軼及王鵬飛，二者在半導體行業(yè)內(nèi)有著精彩的履歷。

目前，龔軼為公司董事長兼總經(jīng)理，其曾擔任美國超微半導體公司工程師和德國英飛凌汽車電子與芯片卡部門技術專家。而董事兼首席技術官王鵬飛，曾擔任德國英飛凌科技存儲器研發(fā)中心研發(fā)工程師、德國奇夢達公司研發(fā)工程師及復旦大學微電子學院教授。

2008年，龔軼與王鵬飛作為聯(lián)合創(chuàng)始人共同創(chuàng)辦東微半導，2013年，東微在國際頂尖期刊《Science》上發(fā)表了原創(chuàng)的半浮柵器件技術論文，取得我國半導體核心技術的重大突破。

隨后，公司在高壓超級結(jié)MOSFET等功率器件結(jié)構(gòu)設計上不斷革新，產(chǎn)品打破了大功率充電樁等領域國外廠商的長期壟斷，逐漸成為了國內(nèi)高性能功率半導體領域的代表公司。

如今，東微半導是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術驅(qū)動型半導體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關等中大功率應用領域，于2022年2月上市。創(chuàng)始人技術出身，身處半導體領域，東微半導科技成色鮮明。

據(jù)年報顯示，2022年，東微半導積極推進主營產(chǎn)品高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵 MOSFET及TGBT產(chǎn)品平臺的技術迭代升級，優(yōu)化8英寸與12英寸芯片代工平臺的產(chǎn)品布局，取得較好成效，進一步加大第三代半導體、第四代半導體材料等前瞻性研發(fā)投入，取得突破性進展。

年報顯示，東微半導共計擁有產(chǎn)品規(guī)格型號2196余款，包括高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品(包括超級硅MOSFET) 1220款，中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品816款，TGBT產(chǎn)品160款及多款SiC器件(含Si2C MOSFET)。

截至2022年末，公司研發(fā)部共擁有54名研發(fā)人員，合計占員工總數(shù)比例為49.09%。在研發(fā)投入方面，2022年，公司的研發(fā)費用投入為5492.73萬元，同比增長32.57%。

責編：ZB